-
1 chip-level
например, specifications for chip-level interfaces - спецификации для интерфейсов на уровне микросхемыАнгло-русский толковый словарь терминов и сокращений по ВТ, Интернету и программированию. > chip-level
-
2 delay time
- продолжительность выдержки
- время задержки тиристора
- время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время задержки модуля (блока) СВЧ
- время задержки импульса интегральной микросхемы
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
- время задержки
время задержки
—
[Интент]Параллельные тексты EN-RU
The relay remains energized for the duration of the timer.
[Schneider Electric]Реле остается включенным до истечения времени задержки.
[Перевод Интент]
Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время задержки модуля (блока) СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени с момента подачи сигнала на вход модуля (блока) СВЧ до момента появления сигнала на его выходе, определяемый на одинаковых относительных уровнях сигналов.
[ ГОСТ 23221-78]Тематики
Обобщающие термины
- модули СВЧ, блоки СВЧ
- параметры
Синонимы
EN
время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки
tзд
td
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
3.11 продолжительность выдержки (delay time): Время определения аналитическим контрольно-измерительным прибором появления химического вещества на внутренней стороне образца для испытания.
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время задержки
Delay time
tзд
Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
209. Время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
Время задержки
Delay time
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > delay time
-
3 lead
контактный металлический штырёк (ножка) или шарик, служащий для соединения микросхемы с контактами гнезда или (при монтаже на поверхность) с контактной площадкой печатной платой.The test is conducted on component level by mounting the components on PCB with proper potting to protect the leads. — Это испытание проводится на уровне компонентов - они монтируются на печатной плате с соответствующей герметизацией для защиты выводов см. тж. pin
2) проводник, провод3) интерлиньяж, межстрочный интервал, междустрочие4) свинец; свинцовыйсм. тж. leadingобычно располагается непосредственно перед статьёй; в интернет-изданиях часто выносится на главную страницуАнгло-русский толковый словарь терминов и сокращений по ВТ, Интернету и программированию. > lead
-
4 microarchitecture
= micro-architectureвнутренняя структура микропроцессора или другой микросхемы, включающая в себя структуру регистрового файла, внутренних регистров, организацию кэш-памяти, буферов и шин, а также систему команд и логику планирования их исполнения. Можно сказать, что на этом уровне физические устройства (physical device) группируются в функциональные блоки (functional unit).Англо-русский толковый словарь терминов и сокращений по ВТ, Интернету и программированию. > microarchitecture
-
5 reverse engineering
= reversing1) анализ, разбор (расшифровка) конструкции, структуры, построения программного или аппаратного изделия; восстановление структурной схемы и алгоритма работы; проектирование по [готовому] образцу; воспроизведение недокументированного изделия, обратная инженерия, разг. передёрпроцесс систематического разбора программы (восстановления её исходного текста и структуры) или микросхемы для изучения алгоритмов её работы с целью имитации или повторения некоторых или всех её функций в другой форме или на более высоком уровне абстракции, снятия защиты, изучения алгоритмов, добавления новых возможностей, восстановления протоколов или исправления ошибок и др. Чаще всего термин используется применительно к ПО (software reverse engineering). Здесь различают обратную инженерию по двоичным кодам (binary reverse engineering) и по данным (data reverse engineering). Широко используется в современной индустрии - от чистого копирования до скрытого. Однако при этом возникают этические проблемы.He was going to deliver a presentation about reverse engineering Adobe E-books. — Он собирался сделать презентацию о расшифровке структуры электронных книг фирмы Adobe. Обратная инженерия может использоваться как хакерами для поиска уязвимостей в ПО, так и противодействующей им стороной для анализа вредоносных программ см. тж. decompiler, disassembler, reverser
Англо-русский толковый словарь терминов и сокращений по ВТ, Интернету и программированию. > reverse engineering
-
6 transistor-level design
САПР электроники обеспечивает разные уровни детализации при проектировании микросхемы - от самого низкого (уровня вентилей, gate-level design), до уровня регистровых передач (RTL) и функциональных блоковАнгло-русский толковый словарь терминов и сокращений по ВТ, Интернету и программированию. > transistor-level design
-
7 RTL
2) резисторно-транзисторные логические схемы; РТЛ-схемы
См. также в других словарях:
помехоустойчивость при высоком уровне сигнала интегральной микросхемы — помехоустойчивость при высоком уровне сигнала Абсолютное значение разности между минимальным входным напряжением высокого уровня и минимальным выходным напряжением высокого уровня интегральной микросхемы. Обозначение U1ном. MH [ГОСТ 19480 89]… … Справочник технического переводчика
помехоустойчивость при низком уровне сигнала интегральной микросхемы — помехоустойчивость при низком уровне сигнала Абсолютное значение разности между максимальным входным напряжением низкого уровня и максимальным выходным напряжением низкого уровня интегральной микросхемы. Обозначение U0ном. ML [ГОСТ 19480 89]… … Справочник технического переводчика
ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы — ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы, при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения высокого уровня. Обозначение Iпот.в ICCH… … Справочник технического переводчика
ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы — ток потребления при низком уровне управляющего напряжения Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения низкого уровня. Обозначение Iпот.н ICCL… … Справочник технического переводчика
время задержки импульса интегральной микросхемы — время задержки Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока. Обозначение tзд td [ГОСТ 19480 89] Тематики микросхемы Синонимы время… … Справочник технического переводчика
коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы — коэффициент прямоугольности АЧХ Отношение полосы частот интегральной микросхемы на уровне 0,01 или 0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7. Обозначение Kп [ГОСТ 19480 89] Тематики микросхемы Синонимы коэффициент прямоугольности АЧХ … Справочник технического переводчика
время задержки включения интегральной микросхемы — время задержки включения Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения интегральной микросхемы — время задержки выключения Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях … Справочник технического переводчика
время задержки распространения при включении интегральной микросхемы — время задержки распространения при включении Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на … Справочник технического переводчика
время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы — время задержки распространения при выключении Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или… … Справочник технического переводчика
длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы — длительность сигнала высокого уровня Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня,… … Справочник технического переводчика
